| 描述 | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 165 毫欧 @ 6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.28W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 |
产品型号:ntd12n10-1g源漏极间雪崩电压vbr(v):100源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):165最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:n封装/温度(℃):dpak-3/-55~175描述:100v,12a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...
