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  • NTD18N06-1G

NTD18N06-1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 18A IPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 9A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds710pF @ 25V
功率 - 最大55W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件

“NTD18N06-1G”技术资料

  • NTD18N06-1G的技术参数

    产品型号:ntd18n06-1g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60最大漏极电流id(on)(a):18通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 3/-55 ~150描述:18 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):¥3.40 来源:xiangxueqin ...

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