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  • NTD20P06L-1G

NTD20P06L-1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 7.5A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 25V
功率 - 最大65W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件

“NTD20P06L-1G”技术资料

  • NTD20P06L-1G的技术参数

    产品型号:ntd20p06l-1g源漏极间雪崩电压vbr(v):-60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):150最大漏极电流id(on)(a):-15.500通道极性:p沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:-60 v, -15.5 a功率mosfet价格/1片(套):¥4.60 来源:xiangxueqin ...

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