| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 104 毫欧 @ 6A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTD3055L104T4GOSTR |
产品型号:ntd3055l104t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):104最大漏极电流id(on)(a):12通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:12 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):￥2.60 来源:xiangxueqin ...
