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  • NTD3055L170T4G

NTD3055L170T4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.23128
  • 5000$0.21533
  • 12500$0.20735
  • 25000$0.19938
  • 62500$0.19618
描述MOSFET N-CH 60V 9A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C170 毫欧 @ 4.5A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds275pF @ 25V
功率 - 最大1.5W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装DPAK-3
包装带卷 (TR)其它名称NTD3055L170T4GOSNTD3055L170T4GOS-NDNTD3055L170T4GOSTR

“NTD3055L170T4G”技术资料

  • NTD3055L170T4G的技术参数

    产品型号:ntd3055l170t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):170最大漏极电流id(on)(a):9通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:9.0 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):¥2.60 来源:xiangxueqin ...

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