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  • NTD32N06G

NTD32N06G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 32A DPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 16A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1725pF @ 25V
功率 - 最大1.5W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装DPAK-3
包装管件

“NTD32N06G”技术资料

  • NTD32N06G的技术参数

    产品型号:ntd32n06g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):26最大漏极电流id(on)(a):32通道极性:n封装/温度(℃):dpak-4/-55~175描述:60v,32a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...

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