描述 | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 20A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 24V |
功率 - 最大 | 1.04W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | DPAK-3 |
包装 | 管件 |
产品型号:ntd4302源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7.800最大漏极电流id(on)(a):68通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:68a,30v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):¥6.60 来源:xiangxueqin ...