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  • NTD4302

NTD4302

描述MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 24V
功率 - 最大1.04W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装DPAK-3
包装管件

“NTD4302”技术资料

  • NTD4302的技术参数

    产品型号:ntd4302源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7.800最大漏极电流id(on)(a):68通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:68a,30v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):¥6.60 来源:xiangxueqin ...

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