描述 | MOSFET N-CH 30V 7.6A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 30A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 860pF @ 12V |
功率 - 最大 | 1.27W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
产品型号:ntd4813nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):13最大漏极电流id(on)(a):40通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55~175描述:40a,30v,,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥3.10 来源:xiangxueqin ...