您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > ntd4813nt4g
  • NTD4813NT4G

NTD4813NT4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 7.6A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 30A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.9nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds860pF @ 12V
功率 - 最大1.27W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

“NTD4813NT4G”技术资料

  • NTD4813NT4G的技术参数

    产品型号:ntd4813nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):13最大漏极电流id(on)(a):40通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55~175描述:40a,30v,,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥3.10 来源:xiangxueqin ...

ntd4813nt4g的相关型号: