| 描述 | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 25V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12 毫欧 @ 30A，11.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 11.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 750pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 1.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 管件 |
制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。" 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5 ...
今天同步控制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。" 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5381拓展了安森美半 ...
同步控制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。” 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。 ncp5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立产品的产品系列。 来源:小草 ...
