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  • NTD60N02RG

NTD60N02RG

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1330pF @ 20V
功率 - 最大1.25W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装管件

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