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  • NTD85N02R

NTD85N02R

描述MOSFET N-CH 24V 12A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)24V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.2 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs17.7nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds2050pF @ 20V
功率 - 最大1.25W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装管件

“NTD85N02R”技术资料

  • NTD85N02R的技术参数

    产品型号:ntd85n02r源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.800最大漏极电流id(on)(a):85通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:85a,24v功率mosfet价格/1片(套):¥8.30 来源:xiangxueqin ...

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