您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ntd85n02rt4g

NTD85N02RT4G

描述MOSFET 24V 85A N-Channel漏极连续电流85 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0048 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体DPAK封装Reel
下降时间12 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)38 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.4 W
上升时间77 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间25 ns

“NTD85N02RT4G”技术资料

  • NTD85N02RT4G的技术参数

    产品型号:ntd85n02rt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.200最大漏极电流id(on)(a):85通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:85 a, 24 v,功率mosfet价格/1片(套):¥4.80 来源:xiangxueqin ...

ntd85n02rt4g的相关型号: