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  • NTF3055L108T3G

NTF3055L108T3G

描述MOSFET 60V 3A N-Channel漏极连续电流3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.12 Ohms配置Single Dual Drain
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-223封装Reel
下降时间27 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)5.7 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.1 W
上升时间35 ns工厂包装数量4000
典型关闭延迟时间22 ns

“NTF3055L108T3G”技术资料

  • NTF3055L108T3G的技术参数

    产品型号:ntf3055l108t3g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):120最大漏极电流id(on)(a):3通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55 ~150描述:3.0 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):¥2.40 来源:xiangxueqin ...

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