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  • NTF3055L175T1G

NTF3055L175T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 2A SOT223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C175 毫欧 @ 1A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds270pF @ 25V
功率 - 最大1.3W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223
包装带卷 (TR)其它名称NTF3055L175T1GOSNTF3055L175T1GOS-NDNTF3055L175T1GOSTR

“NTF3055L175T1G”技术资料

  • NTF3055L175T1G的技术参数

    产品型号:ntf3055l175t1g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):175最大漏极电流id(on)(a):2通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55 ~150描述:2 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):¥2.30 来源:xiangxueqin ...

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