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  • NTF6P02T3

NTF6P02T3

描述MOSFET -20V -6A P-Channel漏极连续电流- 10 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.044 Ohms配置Single Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-223封装Reel
下降时间60 ns, 50 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)12 S
最小工作温度- 55 C功率耗散8.3 W
上升时间30 ns, 25 ns工厂包装数量4000
典型关闭延迟时间60 ns, 75 ns

“NTF6P02T3”技术资料

  • NTF6P02T3的技术参数

    产品型号:ntf6p02t3源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):44最大漏极电流id(on)(a):6通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:-2.3a,-20v功率mosfet和肖特基二极管价格/1片(套):¥3.60 来源:xiangxueqin ...

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