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NTGS3433T1

描述MOSFET -12V -3.3A P-Channel漏极连续电流- 3.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.075 Ohms配置Single Quad Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSOP封装Reel
下降时间100 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)7 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2 W
上升时间20 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间110 ns

“NTGS3433T1”技术资料

  • NTGS3433T1的技术参数

    产品型号:ntgs3433t1源漏极间雪崩电压vbr(v):-12源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):75最大漏极电流id(on)(a):-3.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):6tsop/-55~150描述:-3.05a,-30v功率mosfet和肖特基二极管价格/1片(套):¥2.40 来源:xiangxueqin ...

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