| 描述 | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiCFET（碳化硅） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 99A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28.5 毫欧 @ 45A，18V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.3V @ 15.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 164 nC @ 18 V | Vgs（最大值） | +22V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3480 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 348W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-4L |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
