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NTHD5903T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C155 毫欧 @ 2.2A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.4nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)其它名称NTHD5903T1GOSNTHD5903T1GOS-NDNTHD5903T1GOSTR

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