| 描述 | MOSFET -8V -7.5A P-Channel | 漏极连续电流 | - 7.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.034 Ohms | 配置 | Single Hex Drain |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | ChipFET-8 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 28 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 20 S | 功率耗散 | 1.3 W |
| 上升时间 | 28 ns | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 73 ns |
产品型号:nths2101pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):8源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):25最大漏极电流id(on)(a):7.500通道极性:p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:-8 v, -7.5 a功率mosfet价格/1片(套):￥2.80 来源:xiangxueqin ...
