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  • NTHS4501NT1G

NTHS4501NT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C38 毫欧 @ 4.9A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs9.1nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds462pF @ 24V
功率 - 最大1.3W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)其它名称NTHS4501NT1GOSTR

“NTHS4501NT1G”技术资料

  • NTHS4501NT1G的技术参数

    产品型号:nths4501nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):38最大漏极电流id(on)(a):6.700通道极性:n沟道封装/温度(℃):chipfet /-55~150描述:30 v, 6.7 a功率mosfet价格/1片(套):¥2.50 来源:xiangxueqin ...

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