描述 | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 38 毫欧 @ 4.9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 9.1nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 462pF @ 24V |
功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 | 供应商设备封装 | ChipFET? |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTHS4501NT1GOSTR |
产品型号:nths4501nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):38最大漏极电流id(on)(a):6.700通道极性:n沟道封装/温度(℃):chipfet /-55~150描述:30 v, 6.7 a功率mosfet价格/1片(套):¥2.50 来源:xiangxueqin ...