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  • NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.1122
  • 6000$0.1054
  • 15000$0.0986
  • 30000$0.09044
  • 75000$0.08704
描述MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C880mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C260 毫欧 @ 880mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.2nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds155pF @ 20V
功率 - 最大272mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)其它名称NTJD4152PT1GOSTR

“NTJD4152PT1G”技术资料

  • NTJD4152PT1G的技术参数

    产品型号:ntjd4152pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):215最大漏极电流id(on)(a):0.880通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150描述:小信号20 v, 0.88 a双p沟道 mosfet价格/1片(套):¥1.57 来源:xiangxueqin ...

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