描述 | MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 880mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 260 毫欧 @ 880mA,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 450mV @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 155pF @ 20V |
功率 - 最大 | 272mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商设备封装 | SOT-363 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTJD4152PT1GOSTR |
产品型号:ntjd4152pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):215最大漏极电流id(on)(a):0.880通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150描述:小信号20 v, 0.88 a双p沟道 mosfet价格/1片(套):¥1.57 来源:xiangxueqin ...