| 描述 | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V，20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 250mA，880mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 100?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 33pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 270mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTJD4158CT1G-NDNTJD4158CT1GOSTR |
产品型号:ntjd4158ct1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30/20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):260最大漏极电流id(on)(a):0.25/0.88通道极性:n/p封装/温度(℃):sc88-6/-55~150描述:30v/-20v,0.25a/-0.88a,n/p沟道双mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...
