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  • NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.05796
  • 6000$0.0504
  • 15000$0.04284
  • 30000$0.04032
  • 75000$0.0378
描述MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-363FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C295mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs0.9nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds26pF @ 20V
功率 - 最大250mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装SC-88
包装带卷 (TR)其它名称NTJD5121NT1G-NDNTJD5121NT1GOSTR

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