您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > ntljd2104ptbg

NTLJD2104PTBG

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFNFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 3A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)800mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds467pF @ 6V
功率 - 最大700mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装6-WDFN(2x2)
包装带卷 (TR)

ntljd2104ptbg的相关型号: