描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN | FET 特点 | 二极管(隔离式) |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 2A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 450pF @ 10V |
功率 - 最大 | 710mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 6-WDFN(2x2) |
包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NTLJD3182FZTBG,MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
【ON Semiconductor】NTLJD3183CZTAG,MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN
【ON Semiconductor】NTLJD3183CZTBG,MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN
【ON Semiconductor】NTLJD4116NT1G,MOSFET N-CHAN DUAL 30V 6-WDFN
【ON Semiconductor】NTLJD4150PTBG,MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN