| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | FET 特点 | 二极管（隔离式） |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 2A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 531pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 710mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTLJF3117PT1G-NDNTLJF3117PT1GOSTR |
越的热阻(38°c/w)与额定功率(1.9 w)，额定持续功率比业界标准sd-88封装提高了高达190%，比sd-70-6扁平引脚封装提供高了130%。因此由功率的角度来看，采用wdfn6封装的μcool器件能更有效益的使用便携式应用中宝贵的电路板空间。 其中最先推出的六款产品中，20v p-通道单ntljs3113pt1g与双ntljd3115pt1g 均过经优化, 在4.5 v时导通电阻rds(on)分别为42 mω与100 mω，适用于锂离子电池充电应用；20 v p-通道fetky ntljf3117pt1g (100 mω) 经过优化，适用于将3 v到4 v的电池电压转换为微处理器使用的1.1 v电压应用；30v n-通道ntljs4159nt1g(35 mω)与fetky ntljf4156nt1g (70 mω) 经过优化后，适用于白光led背光等同步升压应用；30v n-通道双ntljd4116nt1g (70 mω) 经过优化，则适用于照相机快门与闪光等低电压端开关。 “我们设计μcool?产品系列的主要目的是解决便携式设备，例如锂离子电池充电电路、高、低电压端负载开关以及同步升降压电 ...
产品型号:ntljf3117pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):-20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100最大漏极电流id(on)(a):-4.100通道极性:p沟道封装/温度(℃):dfn-6/-55~150描述:-20v,-4.1a,ucool功率mosfet,2a肖特基二极管价格/1片(套):￥3.20 来源:xiangxueqin ...
