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  • NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.16275
描述MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFNFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 2A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds427pF @ 15V
功率 - 最大710mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装6-WDFN(2x2)
包装带卷 (TR)其它名称NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR

“NTLJF4156NT1G”技术资料

  • 安森美缩小占板空间迎合便携式应用

    ool器件能更有效益的使用便携式应用中宝贵的电路板空间。 其中最先推出的六款产品中,20v p-通道单ntljs3113pt1g与双ntljd3115pt1g 均过经优化, 在4.5 v时导通电阻rds(on)分别为42 mω与100 mω,适用于锂离子电池充电应用;20 v p-通道fetky ntljf3117pt1g (100 mω) 经过优化,适用于将3 v到4 v的电池电压转换为微处理器使用的1.1 v电压应用;30v n-通道ntljs4159nt1g(35 mω)与fetky ntljf4156nt1g (70 mω) 经过优化后,适用于白光led背光等同步升压应用;30v n-通道双ntljd4116nt1g (70 mω) 经过优化,则适用于照相机快门与闪光等低电压端开关。 “我们设计μcool?产品系列的主要目的是解决便携式设备,例如锂离子电池充电电路、高、低电压端负载开关以及同步升降压电路中所面临的独特电源管理问题。这些新的μcool器件只是一个开端,我们将陆续提供一系列采用我们最新沟槽式技术的产品,工作电压范围由8 v到30 v,并提供各种不同配置,包括单、双、fetky、互补与 ...

  • 安森美推出小封装功率MOSFET 散热特性面向便携式产品

    货日程为6到8周。其中,20vp-通道单ntljs3113pt1g与双ntljd3115pt1g均经优化, 适用于锂离子电池充电应用,在4.5v时导通电阻rds(on)分别为42mω与100mω,每10,000件的批量单价分别为0.30与0.31美元;20vp-通道fetky ntljf3117pt1g(100mω) 经优化,适用于将3v到4v电池电压转换为微处理器使用的1.1v电压应用,每10,000件的批量单价为0.31美元;30vn-通道ntljs4159nt1g(35mω)与fetky ntljf4156nt1g (70mω)经优化,适用于如白光led背光的同步升压应用,每10,000件的批量单价分别为0.29与0.30美元;30vn-通道双ntljd4116nt1g(70mω)经优化,适用于低电压端开关,例如照相机快门与闪光,每10,000件的批量单价为0.30美元。 来源:小草 ...

  • NTLJF4156NT1G的技术参数

    产品型号:ntljf4156nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):70最大漏极电流id(on)(a):4通道极性:n沟道封装/温度(℃):dfn-6/-55~150描述:30v,4.0a,ucool功率mosfet,2a肖特基二极管价格/1片(套):¥3.20 来源:xiangxueqin ...

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