| 描述 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 6-WDFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 70 毫欧 @ 2A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 427pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 710mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
ljs3113pt1g与双ntljd3115pt1g 均过经优化, 在4.5 v时导通电阻rds(on)分别为42 mω与100 mω，适用于锂离子电池充电应用；20 v p-通道fetky ntljf3117pt1g (100 mω) 经过优化，适用于将3 v到4 v的电池电压转换为微处理器使用的1.1 v电压应用；30v n-通道ntljs4159nt1g(35 mω)与fetky ntljf4156nt1g (70 mω) 经过优化后，适用于白光led背光等同步升压应用；30v n-通道双ntljd4116nt1g (70 mω) 经过优化，则适用于照相机快门与闪光等低电压端开关。 “我们设计μcool?产品系列的主要目的是解决便携式设备，例如锂离子电池充电电路、高、低电压端负载开关以及同步升降压电路中所面临的独特电源管理问题。这些新的μcool器件只是一个开端，我们将陆续提供一系列采用我们最新沟槽式技术的产品，工作电压范围由8 v到30 v，并提供各种不同配置，包括单、双、fetky、互补与集成型负载开关。” 安森美半导体功率mosfet产品市场营销总监高天宝(thibault kassir)表示。 ...
