描述 | MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 26 毫欧 @ 6.5A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 15pF @ 16V |
功率 - 最大 | 1.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | Micro8? |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTLTD7900ZR2GOSNTLTD7900ZR2GOS-NDNTLTD7900ZR2GOSTR |
产品型号:ntltd7900zr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):26最大漏极电流id(on)(a):9通道极性:n沟道封装/温度(℃):micro-8/-55 ~150描述:20 v, 9a功率mosfet价格/1片(套):¥4.00 来源:xiangxueqin ...