| 描述 | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.2A，3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 43 毫欧 @ 4A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
产品型号:ntmd2c02r2sg源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43最大漏极电流id(on)(a):5.200通道极性:n/p封装/温度(℃):soic-8/-55~150描述:20v,5.2a,n/p沟道双mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...
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