| 描述 | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 3.05A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 750pF @ 24V |
| 功率 - 最大 | 730mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTMD3P03R2GOSNTMD3P03R2GOS-NDNTMD3P03R2GOSTR |
产品型号:ntmd3p03r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85最大漏极电流id(on)(a):3.050通道极性:p沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:-3.05 a, -30 v功率mosfet价格/1片(套):￥4.00 来源:xiangxueqin ...
