描述 | MOSFET 30V 4A N-Channel | 漏极连续电流 | 4 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.048 Ohms | 配置 | Dual Dual Drain |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
下降时间 | 10 ns | 正向跨导 gFS(最大值/最小值) | 6 S |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2 W |
上升时间 | 14 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
【ON Semiconductor】NTMD4N03R2G,MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6N02R2,MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
【ON Semiconductor】NTMD6N02R2G,MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
【ON Semiconductor】NTMD6N03R2,MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6N03R2G,MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC