| 描述 | MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 215 毫欧 @ 2.2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 600mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NTMD6N02R2,MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
【ON Semiconductor】NTMD6N02R2G,MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
【ON Semiconductor】NTMD6N03R2,MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6N03R2G,MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6N04R2G,MOSFET N-CH DUAL 40V 4.6A 8-SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6P02R2G,MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6P02R2SG,MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC