| 描述 | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 32 毫欧 @ 6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTMD6N03R2GOSNTMD6N03R2GOS-NDNTMD6N03R2GOSTR |
产品型号:ntmd6n03r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):32最大漏极电流id(on)(a):6通道极性:n沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:30 v, 6 a,功率mosfet价格/1片(套):￥4.39 来源:xiangxueqin ...
