| 描述 | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 730mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTMD6N02R2OS |
【ON Semiconductor】NTMD6N02R2G,MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
【ON Semiconductor】NTMD6N03R2,MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6N03R2G,MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6N04R2G,MOSFET N-CH DUAL 40V 4.6A 8-SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6P02R2G,MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD6P02R2SG,MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC
