| 描述 | MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 4A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTMD4N03R2GOSNTMD4N03R2GOS-NDNTMD4N03R2GOSTR |
产品型号:ntmd4n03r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60最大漏极电流id(on)(a):4通道极性:n封装/温度(℃):soic-8/-55~150描述:30v,4a,n沟道双mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...
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