| 描述 | T10 MOSFET 25V | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），75A（Tc），27A（Ta），178A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 20A，10V，870μ欧姆 @ 37A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 240μA，2.1V @ 850μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 15nC @ 10V，59nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1080pF @ 12V，4265pF @ 12V |
| 功率 - 最大值 | 960mW（Ta），27W（Tc），1W（Ta），44W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
