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  • NTMFS4120NT1G

NTMFS4120NT1G

描述MOSFET 30V 31A Single N-Channel漏极连续电流18 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0042 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SO-8封装Reel
下降时间31 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)35 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.2 W
上升时间32 ns工厂包装数量1500
典型关闭延迟时间27 ns

“NTMFS4120NT1G”技术资料

  • NTMFS4120NT1G的技术参数

    产品型号:ntmfs4120nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.500最大漏极电流id(on)(a):31通道极性:n沟道封装/温度(℃):dfn6/-55 ~150描述:30 v, 31 a,功率mosfet价格/1片(套):¥7.40 来源:xiangxueqin ...

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