| 描述 | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 10A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3640pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 1.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTMS10P02R2GOSNTMS10P02R2GOS-NDNTMS10P02R2GOSTR |
产品型号:ntms10p02r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):14最大漏极电流id(on)(a):1.600通道极性:p沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:20 v, 10 a功率mosfet价格/1片(套):￥7.00 来源:xiangxueqin ...
