| 描述 | MOSFET 20V 4.2A N-Channel | 漏极连续电流 | 4.2 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.045 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Dual Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 50 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 10 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 35 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
