| 描述 | MOSFET -20V -5.4A P-Channel | 漏极连续电流 | - 5.4 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.026 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Dual Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 90 ns, 55 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 15 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 70 ns, 25 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns, 70 ns |
