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  • NTP30N20

NTP30N20

描述MOSFET 200V 30A N-Channel漏极连续电流30 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.068 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220AB封装Tube
下降时间88 ns, 24 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)20 S
最小工作温度- 55 C功率耗散214 W
上升时间70 ns, 20 ns工厂包装数量50
典型关闭延迟时间82 ns, 40 ns

“NTP30N20”技术资料

  • NTP30N20的技术参数

    产品型号:ntp30n20源漏极间雪崩电压vbr(v):200源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):68@10v最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220ab/-55~175描述:45a,30v功率mosfet价格/1片(套):¥15.50 来源:xiangxueqin ...

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