| 描述 | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 8V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | - |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 52 毫欧 @ 3.5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1173pF @ 4V |
| 功率 - 最大 | 960mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTR2101PT1GOSTR |
产品型号:ntr2101pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):8源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):52最大漏极电流id(on)(a):3.700通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150描述:-8 v, -3.7 a,双功率mosfet价格/1片(套):￥1.59 来源:xiangxueqin ...
