| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 2.48A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 500pF @ 24V |
| 功率 - 最大 | 600mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 供应商设备封装 | Micro8? |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTTS2P03R2OS |
