| 描述 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 430mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 900 毫欧 @ 430mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 175pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 250mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NTZD3154NT1G,MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563
【ON Semiconductor】NTZD3154NT5G,MOSFET N-CHAN DUAL 20V SOT-563
【ON Semiconductor】NTZD3155CT1G,MOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563
【ON Semiconductor】NTZD3155CT2G,MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563
【ON Semiconductor】NTZD3155CT5G,MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563