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  • NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.0828
  • 8000$0.0782
  • 12000$0.0713
  • 28000$0.0667
  • 100000$0.05888
描述MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C294mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs0.7nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds24.5pF @ 20V
功率 - 最大250mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)其它名称NTZD5110NT1G-NDNTZD5110NT1GOSTR

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