| 描述 | MOSFET INTEGRATED POWER BJT | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 200 Ohms |
|---|---|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | DFN8 |
| 封装 | Reel | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 12 S |
| 功率耗散 | 635 mW | 工厂包装数量 | 3000 |
产品型号:nus5530mnr2g类型:pnp集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):35集电极最大电流ic(max)(ma):2000直流电流增益hfe最小值(db):100直流电流增益hfe最大值(db):400最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):dfn-8/-55~150价格/1片(套):￥5.00 来源:零八我的爱 ...
