| 描述 | MOSFET DUAL N/P-CH SOT666 | FET 特点 | * |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V，50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | - | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | - | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商设备封装 | SOT-666 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NX1029X115 |
【NXP Semiconductors】NX1117C120Z,115,IC REG LDO 12V 1A SOT223-4
【NXP Semiconductors】NX1117C12Z,115,IC REG LDO 1.2V 1A SOT-223
【NXP Semiconductors】NX1117C15Z,115,IC REG LDO 1.5V 1A SOT-223
【NXP Semiconductors】NX1117C18Z,115,IC REG LDO 1.8V 1A SOT-223
【NXP Semiconductors】NX1117C19Z,115,IC REG LDO 1.9V 1A SOT-223
【NXP Semiconductors】NX1117C25Z,115,IC REG LDO 2.5V 1A SOT-223