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NZT6714_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min55 at 10 mA at 1 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-223
封装Reel集电极连续电流1.2 A
最小工作温度- 55 C功率耗散1 W

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