| 晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -65 °C |
|---|---|---|---|
| 最大功率耗散 | 2000 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.05 V | 最大直流集电极电流 | 5.1 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.3 V |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V | 最小直流电流增益 | 30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 110 MHz |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极小信号 |
| 配置 | 单双集电极 | 长度 | 6.7mm |
| 高度 | 1.7mm |
【NXP Semiconductors】PBSS306NZ /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS306NZ,135,TRANS NPN 100V 5.1A SOT223
【NXP Semiconductors】PBSS306PX T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS306PZ /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS306PZ,135,TRANS PNP 100V 4.1A SOT-223
